Semiconductor (FlZ.), material aflat de obicei în starea de agregare solidă, care prezintă o conductibilitate electrică intermediară între cea a metalelor şi cea a izolatoarelor (conductivitatea are valori cuprinse în intervalul 10-9 — 103 Ω-1 cm-1, la temperatură normală). S. se caracterizează prin câteva proprietăţi fizice specifice, ca: modul de variaţie a rezistenţei electrice o dată cu creşterea temperaturii (mărire în domeniul temperaturilor mai scăzute şi micşorare în domeniul temperaturilor mai ridicate); prezenţa unui efect de redresare sau cel puţin a unei comportări neohmice (neliniare) Ia trecerea curentului electric; sensibilitate mare la acţiunea luminii, manifestată prin efectele fotovoltaic şi fotorezistiv etc. Las. se observă o puternică influenţă a impurităţilor conţinute şi a microdefectelor de structură asupra proprietăţilor fizice. Au proprietăţi semiconductoare în special elementele din grupa a patra a sistemului periodic: siliciul, germaniul, sta-mul cenuşiu (a) şi, mai puţin, carbonul sub formă de diamant; la acestea se adaugă câteva elemente din alte grupe: borul, seleniul, telurul. Numărul combinaţiilor chimice semiconductoare este în continuă creştere, cuprinzând compuşi binari şi ternari de metale şi metaloizi, ca: InSb, InAs, CSi, BâTe3, PbS, Ag Sb Te2 ş.a., oxizi, sulfuri metalice, polimeri organici etc. Într-un s. fără impurităţi (numit s. intrinsec), electronii de valenţă ai atomilor pot participa la transportul de sarcină (curentul electric) numai dacă au căpătat, prin excitare termică sau luminoasă, o anumită energie suplimentară necesară trecerii electronilor din banda de valenţă în banda de conducţie; la transportul de sarcină iau parte şi electronii rămaşi în banda de valenţă, comportarea lor fiind descrisă de golurile pozitive (numite şi găuri), al căror număr este egal cu cel al electronilor trecuţi în banda de conducţie. În s. cu impurităţi (numit’ s. extrinseci), atomii străini pot provoca două e-fecte diferite. Atomii pentavalenţi (ex. de fosfor), introduşi în reţeaua cristalină a germaniului sau a siliciului, acţionează ca centri donori, cedând electroni bandei de conducţie; în acest: caz, conducţia este asigurată de electroni, iar s. este de tip n (negativ). Atomii trivalenţi (ex, de bor), în condiţii similare, acţionează ca centri acceptori, primind electroni din banda de valenţă; în acest caz, conducţia se face prin goluri, iar s. este de tip p (pozitiv). Importanţa tehnică deosebită a S. a fost relevată o dată cu descoperirea tranzistorului (în ‘1947) şi cu punerea bazelor
Producţiei industriale de dispozitive semiconductoare, în special a diodelor de putere şi a tranzistoarelor din germa-mu sau siliciu. La acestea s-au adăugat traductoarele Hali şi magnetostrictive, microrefri-geratoarele, bateriile solare, convertizoarele termoelectrice, lasern cu joncţiune, detectoarele de radiaţii etc. Utilizarea dispozitivelor cu s. corespunde pe deplin principalelor tendinţe ale tehnicii moderne: miniaturizarea, consumul redus de energie, automatizarea. Producţia pieselor semiconductoare se bazează pe o tehnologie complexă, în care un rol esenţial îl au condiţiile de puritate şi de impurilicare controlată. În ţara noastră se desfăşoară importante lucrări de cercetare asupra S.; a fost organizată şi producţia industrială de dispozitive cu s.